隨著元器件測(cè)試市場(chǎng)的需求，熱循環(huán)測(cè)試儀的推動(dòng)也在不斷進(jìn)步，無(wú)錫冠亞熱循環(huán)測(cè)試儀的性能也在不斷的進(jìn)步，那么，對(duì)于熱循環(huán)測(cè)試儀，以前不太關(guān)注的話(huà)，現(xiàn)在也必須考慮好。

　　熱循環(huán)測(cè)試儀電性?xún)?yōu)化的目的，本質(zhì)上來(lái)說(shuō)就是提升傳輸效率，減少傳輸損耗。過(guò)去我們優(yōu)化設(shè)計(jì)主要著眼于系統(tǒng)和PCB這個(gè)別，很少觸及到封裝和芯片。這個(gè)別的仿真優(yōu)化，主要集中在器件引腳、過(guò)孔、接插件等結(jié)構(gòu)不連續(xù)的地方。熱循環(huán)測(cè)試儀中芯片封裝是芯片到PCB的過(guò)渡，這里的信號(hào)傳輸路徑處處存在著不連續(xù)，優(yōu)化這些結(jié)構(gòu)上的不連續(xù)點(diǎn)，使其保持電性上的連續(xù)，減少信號(hào)的反射，就是封裝SI優(yōu)化的目的。

　　熱循環(huán)測(cè)試儀的優(yōu)化，主要涉及到信號(hào)和回流地的布置，金線(xiàn)的長(zhǎng)度、直徑、線(xiàn)型、線(xiàn)數(shù)等。這里只對(duì)其他幾個(gè)參數(shù)再做討論。熱循環(huán)測(cè)試儀從芯片鍵合到載板，端口1設(shè)在芯片端，CPW結(jié)構(gòu)，阻抗50Ohm，端口2設(shè)在載板端，GCPW結(jié)構(gòu)，阻抗50Ohm，分別調(diào)整線(xiàn)徑，線(xiàn)型、線(xiàn)數(shù)三個(gè)因子，仿真頻率掃描0～40Ghz，后處理對(duì)比S21和S11參數(shù)。

　　熱循環(huán)測(cè)試儀金線(xiàn)直徑越大，傳輸特性越好，鍵合線(xiàn)弧度越低，傳輸特性越好，雙線(xiàn)鍵合，傳輸特性?xún)?yōu)于單線(xiàn)鍵合。對(duì)于高頻應(yīng)用，僅僅通過(guò)調(diào)整以上參數(shù)來(lái)優(yōu)化傳輸特性，依然滿(mǎn)足不了應(yīng)用，鍵合線(xiàn)匹配就派上了用場(chǎng)。由于整個(gè)鍵合結(jié)構(gòu)在一定頻率范圍內(nèi)可以等效為電感，這樣我們就可根據(jù)射頻理論進(jìn)行阻抗匹配。對(duì)比鍵合線(xiàn)匹配前后的傳輸特性，可以看出匹配在感興趣的頻段內(nèi)，大大的優(yōu)化了傳輸特性。

　　對(duì)于熱循環(huán)測(cè)試儀的性能，討論了其相關(guān)使用以及配置之后，對(duì)于熱循環(huán)測(cè)試儀相關(guān)特點(diǎn)了解之后再進(jìn)行使用比較好。（本文來(lái)源網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系刪除，謝謝。）